MCPLive > 杂志文章 > 玩儿“大”了 英特尔25纳米制程SSD

玩儿“大”了 英特尔25纳米制程SSD

2011-05-03JEDY CC《微型计算机》2011年5月上

SSD挑战传统硬盘

近一年以来,传统机械硬盘与半导体存储介质的SSD固态硬盘开始了正面冲突。此前SSD还不能威胁到传统的机械硬盘,因为它基本上是按照两种思路在发展,一种是采用SLC颗粒的高速产品,虽然无论持续读写的传输速度还是寻道速度都非常出色,但成本很高,容量小、价格贵是它的软肋;另一种则是采用MLC颗粒的产品,虽然容量可以比SLC颗粒的产品大一些,寻道速度也差不多,但持续读取或写入的速度相对较慢。

然而,半导体存储技术的发展速度远远超过了普通磁介质存储技术的发展速度。和摩尔定律类似,用于存储的半导体制程技术在这几年也在飞快的发展。从70纳米、50纳米、40纳米到30纳米级,随着制程的不断提升,单颗NAND颗粒的容量也越来越大,终使得大容量SSD产品的出现成为可能。另一方面,随着控制芯片和读写性能的不断优化,SSD硬盘的速度和耐用性都在不断地提升。

英特尔固态硬盘320系列产品资料

尺寸 2.5英寸
接口 SATA 3Gb/s
颗粒制程 25nm
容量 300GB、160GB(大600GB)
持续读取速度 270MB/s(300GB)、270MB/s(160GB)
持续写入速度 205MB/s(300GB)、165MB/s(160GB)
每秒4Kb读取IO次数 39000/39500
每秒4Kb写入IO次数 21000/23000
读取延迟 75μs
写入延迟 90μs
通电响应时间 2s
全国总代 宝通集团(028-85241791)
立人西南销售中心(023-88109967)

分享到:

用户评论

共有评论(6)

用户名:

密码: