金邦台北产品部副总经理 谢杰宏先生
目前公开的DDR4内存的信息可谓少之又少,那么内存厂商又能透露多少这方面的信息呢?他们对DDR4内存的态度又是怎样呢?本刊特别邀请了金邦台北产品部副总经理谢杰宏先生就DDR4内存谈了他的看法。
承袭以往内存产品的发展走向,DDR4内存不外乎朝着高容量、高频、低功耗发展。它的规格可能在DDR4 2133~DDR4 4266,工作电压也将下降至1.0V~1.2V左右。这意味着DDR4内存在如此高频率、低电压的条件下运行,将需有更好的外部硬件设备来配合,否则容易造成内存数据遗失现象,以及消费者常遇到的兼容性问题。
依据目前JEDEC公布的数据看来,DDR4内存的每个内存信道只会支持一条内存模块,内存控制器将采用点对点技术,将取代目前DDR3内存采用的多点总线技术。如此一来,系统内存条的数量和容量都将受限制。因此在考虑如何增加系统内存数量与容量方面,将是DDR4内存后续生产在技术和成本方面需要重点考虑的地方。
由于DDR4内存低电更低,因此其势必采用比目前主流的50nm工艺更先进的工艺,才能满足需求。届时,从内存设计厂商到晶圆厂商,都将为DDR4内存的生产良品率及生产效率而努力,这也关乎这未来DDR4内存上市的时间。
总体而言,上述三个问题都涉及到生产环境、后续研发、生产技术等问题,这对内存厂商也会是新的挑战和更严格的考验。当然对拥有IC测试能力、模块老化能力和系统测试能力更加优秀的内存厂商来说,则会是新的机遇。
DDR4内存预计于2011左右完成规范的制定,至于上市日期恐怕将等到2014年~2015年左右。我们以一颗容量为256MB的IC来计算,到时售价肯定超过10美金,喜欢紧跟潮流的玩家们,恐怕到时候荷包会大出血了。