P55平台内存超频实战

实战超频

下面笔者就以Core i7 860处理器+微星P55-GD65主板的平台为例，介绍一下英特尔 LGA 1156平台的内存超频技巧。

测试平台：

CPU：Core i7 860
散热器：COGAGE True Spirit
主板：微星 P55-GD65
内存：金士顿DDR3 1333 2GB×2普条(采用尔必达AE-E颗粒)
显卡：GeForce GTX 260+
电源：航嘉多核DH6
(注：微星 P55-GD65的内存倍频表示为3、4、5、6，即计算出来的内存频率为内存实际频率。)

首先进入主板的BIOS设置界面适度增加内存的工作电压。DDR3内存的默认工作电压为1.5V，耐压极限一般在1.65V左右。实际上很多内存颗粒都需要1.7V～1.75V的工作电压才能完全发挥出超频潜力，因此笔者认为1.7V～1.75V的工作电压也是相对比较安全的。由于镁光D9、尔必达Hyper颗粒的耐压性比较好，所以很多厂商对这类内存条的官方建议工作电压为1.65V～1.9V。不过笔者不建议让内存长期工作在1.9V及以上的电压下，对大多数不追求极限的玩家来说，1.6V～1.75V是DDR3内存在超频状态下的理想工作电压。大家可以根据自己内存条的颗粒并且参考厂家建议值来进行设置。

内存终被稳定超频至DDR3 2000(9-9-9-26-98@1T)

笔者的Core i7 860处理器能够超频至4GHz(200MHz×20)。如果在BCLK频率为200MHz、内存倍频为6的情况下，内存等效频率将达到200MHz×6×2=2400MHz—绝大部分内存都难以达到如此高的超频幅度。于是笔者将内存倍频“Memory Rat io”设置为“5”，将内存时序调节选项“DRAM Timing Mode”设置为“Manual”(手动模式)，就可以进入下方的“Advance DRAM Configuration”内存时序设置菜单中对各个时序参数进行修改。

在Core i7 860超频至3.35GHz的情况下，内存的读取速度为15199MB/s。

从稳定性出发，笔者先对内存时序做如下调节：CR=2T，CL、tRCD、tRP=10，tRAS=27，tRFC=98，其余参数保持BIOS默认设置。保存BIOS设置重新启动电脑以后，进入系统进行稳定性测试。待顺利通过测试后，重新进入BIOS设置界面将tRCD和tRP设置为9，并继续进行稳定性测试。如果通过稳定性测试，将CL也设置为9。顺利通过测试后再将CR改为IT，后将tRAS设置为26。经过一番微调之后，市面常见的金士顿DDR3 1333 2GB×2内存终稳定超频至DDR3 2000(9-9-9-26-98@1T)。