三星开始量产40nm 4Gb DDR3 DRAM
2010-02-24小烈MCPLive.cn
据报道，三星电子开始正式量产40nm技术的4Gb DDR3 DRAM，这种新高密度内存芯片工作电压为1.5V或1.35V，工作频率为1600MHz，目前已应用于16GB/32GB RDIMMs和8GB SO-DIMMs内存模块中。
而这次4GBDDR3内存的量产，仅仅标志着日后90%的DDR DRAM产品向40nm级别转化的一个开始。
