美光和南亚联合研发出铜质42nm内存技术
2010-02-11小烈MCPLive.cn
内存制造商美光日前发布了2Gb DDR3 DRAM产品，这是联合Nanya（南亚）共同研发出的基于铜质42nm技术的新品。此次的42nm首度利用铜质金属来取代铝，主要还是因为铜金属更加稳定更能节省成本。
42nm 2Gb DDR3 DRAM工作电压在1.35V（JEDEC标准下为1.5V），高频率为1866MHz，可用于大16GB的模块。美光和南亚的2Gb DDR3芯片预计从仅第二季度开始试产，正式投产会在今年的下半年。
