海力士为移动设备打造2Gb低功耗DDR2
2010-01-14小烈MCPLive.cn
距离发布基于54nm工艺的1Gb芯片还不足9个月，内存厂商海力士（Hynix）再次高调的推出了首款研发成功的2Gb低功耗DDR2 DRAM。不同的是，这款新芯片基于40nm，工作速率和电压分别在1066 Mbps和1.2V，还支持4.26 GB/s带宽，非常适用于智能手机、平板电脑和智能本等移动设备。
海力士的2Gb LP DDR2 DRAM不久将进入抽样阶段，预计快会在今年中旬以前正式量产。
