尔必达研发世界小40nm 2Gb DDR3内存
2009-10-09小烈MCPLive.cn
日本芯片制造商尔必达日前高调的宣布已成功研发出业界小的40nm 2Gb DDR3 SDRAM内存芯片，每片晶圆的芯片产量创纪录的比比目前50nm DDR3产品提升44%，而1.6Gbps (1600 MHz)的DDR3产品良品率可达100%。
40nm 2Gb DDR3内存芯片可工作在1.2V、1.35V和1.5V电压下，而其功耗比过去的50nm DDR3内存下降了三分之二左右。尔必达40nm 2Gb DDR3内存芯片将于今年11月进行抽样调查，快会在今年年底前实现量产。
